Công nghệ tế bào cắt nửa 10BB: Thiết kế mạch mới, wafer pha tạp Ga, độ suy giảm < 2% (năm đầu tiên) / ≤0,55% (Tuyến tính)
Giảm đáng kể nguy cơ xảy ra điểm nóng: Thiết kế mạch đặc biệt với nhiệt độ điểm nóng thấp hơn nhiều
LCOE thấp hơn: phát điện nhiều hơn 2%, LCOE thấp hơn
Hiệu suất Anti-PID xuất sắc: 2 lần so với thử nghiệm Anti-PID tiêu chuẩn ngành của TUV SUD
Hộp nối IP68: Mức độ chống nước cao.