10BB halvskuren cellteknologi: Ny kretsdesign, Ga-doppad wafer, dämpning <2% (första året) / ≤0,55% (linjär)
Avsevärt lägre risk för hot spot: Specialkretsdesign med mycket lägre hot spot temperatur
Lägre LCOE: 2% mer kraftgenerering, lägre LCOE
Utmärkt anti-PID-prestanda: 2 gånger av industristandard Anti-PID-test av TUV SUD
IP68 kopplingsdosa: Hög vattentät nivå.