Tecnologia de célula de meio corte 10BB: Novo design de circuito, wafer dopado com Ga, atenuação <2% (1º ano) / ≤0,55% (Linear)
Reduz significativamente o risco de ponto quente: Design de circuito especial com temperatura de ponto quente muito mais baixa
Menor LCOE: 2% mais geração de energia, menor LCOE
Excelente desempenho anti-PID: 2 vezes o teste anti-PID padrão da indústria da TUV SUD
Caixa de junção IP68: Alto nível à prova d'água.