10BB half-cut celtechnologie: nieuw circuitontwerp, Ga-gedoteerde wafer, verzwakking <2% (1e jaar) / ≤0,55% (lineair)
Verlaag het risico op hotspots aanzienlijk: speciaal circuitontwerp met een veel lagere hotspottemperatuur
Lagere LCOE: 2% meer energieopwekking, lagere LCOE
Uitstekende Anti-PID-prestaties: 2 keer de industriestandaard Anti-PID-test door TUV SUD
IP68-aansluitdoos: hoog waterdicht niveau.